鈦圓靶

　　鈦圓靶的主要性能要求：
　　一、純度
　　純度是靶材的主要性能指標之一，因為靶材的純度對薄膜的性能有很大的影響。但在實際應(yīng)用中，靶材的純度要求不盡相同。隨著微電子工業(yè)的發(fā)展，硅片的尺寸由6英寸、8英寸發(fā)展到12英寸，而布線寬度由0.5um減小到0.25um、0.18um甚至0.13um。以前，99.995%的目標純度可以符合0.35um IC的工藝要求，而0.18um線的制備則需要的目標純度還要高。
　　二、雜質(zhì)含量
　　雜質(zhì)含量目標固體中的雜質(zhì)和孔隙中的氧、水蒸氣是主要的污染源。不同的鈦圓靶對不同的雜質(zhì)含量有不同的要求。例如，半導(dǎo)體工業(yè)用純鋁和鋁合金靶材對堿金屬含量和放射性元素含量有其它要求。

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